晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì),或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同,在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極,晶界為陰極,晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
碳對(duì)晶間腐蝕有顯著影響。隨著含碳量的增加,晶間腐蝕的趨勢(shì)越來越嚴(yán)重。它不僅擴(kuò)大了晶間腐蝕趨勢(shì)的加熱溫度和時(shí)間范圍,而且加劇了晶間腐蝕程度,提高了固溶溫度。
縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過螺絲、鉚接、焊接等方式連接的,這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會(huì)有狹窄的縫隙。縫隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進(jìn)入,使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池,縫隙內(nèi)發(fā)生較強(qiáng)的局部腐蝕。