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不銹鋼臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)哪家機(jī)構(gòu)正規(guī)

發(fā)布時(shí)間:2021-08-24 訪問量:652次 來源:隱石檢測(cè)
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不銹鋼臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)哪家機(jī)構(gòu)正規(guī)

由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠(yuǎn)快于奧氏體不銹鋼,即使在高溫下迅速冷卻,也會(huì)析出碳化物,造成鉻貧區(qū)和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時(shí),亞穩(wěn)相cr23c3轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定相Cr23C6,使鉻分布趨于均勻,消除了晶間腐蝕的傾向。


在含Cr6 +的硝酸介質(zhì)中,選擇cr14ni14和1cr18ni11ti高純Cr Ni不銹鋼,研究了C、P、Si和B對(duì)非敏化晶間腐蝕的影響;0.1%, P & gt= 0.01%,有顯著危害;當(dāng)Si含量接近Cr - Ni不銹鋼的正常含量(~ 0.8%)時(shí),非敏化晶間腐蝕敏感性最大,且Si含量高于或低于該含量時(shí)晶間腐蝕敏感性降低;B量& gt= 0.0008%,對(duì)非敏化晶間腐蝕有害。對(duì)低Si、低P高純Cr - Ni奧氏體鋼的進(jìn)一步研究表明,這些不銹鋼在非敏化狀態(tài)下不存在晶間腐蝕傾向。透射電鏡和俄耳杰光譜儀的晶界分析結(jié)果證實(shí),晶界上P、Si和B等元素的偏析和優(yōu)先溶解是造成非敏化晶界腐蝕的主要原因。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。


晶間腐蝕的特點(diǎn)是當(dāng)金屬表面沒有損傷時(shí),晶粒間的結(jié)合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴(yán)重的情況下,只要輕輕敲擊,它就會(huì)碎成粉末。


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