將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過(guò)飽和體，不會(huì)產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi)，碳的固溶體不超過(guò)0.02%，過(guò)飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時(shí),碳會(huì)擴(kuò)散到晶界和結(jié)合鐵和鉻在晶界形成硬質(zhì)合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴(kuò)散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒(méi)有時(shí)間補(bǔ)充，因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對(duì)于不銹鋼來(lái)說(shuō)，由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽(yáng)極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質(zhì)中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽(yáng)極面積比小，加速了晶界區(qū)域的腐蝕。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

敏化晶間腐蝕發(fā)生在焊接構(gòu)件或在450 ~ 850℃加熱的構(gòu)件的焊縫熱影響區(qū)，在介質(zhì)的作用下導(dǎo)致這些構(gòu)件的泄漏或損壞;產(chǎn)生敏化晶間腐蝕的設(shè)備和部件的尺寸和形狀幾乎沒(méi)有變化，沒(méi)有任何塑性變形;除腐蝕區(qū)域外，其他部位無(wú)腐蝕跡象，仍有明顯的金屬光澤;局部抽樣檢測(cè)表明，腐蝕部位的強(qiáng)度和塑性已嚴(yán)重喪失。冷彎時(shí)，不僅有裂紋，還有脆性斷裂和顆粒脫落，地面上沒(méi)有金屬聲。

推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強(qiáng)度低于Ti和Nb穩(wěn)定不銹鋼。當(dāng)強(qiáng)度不足時(shí)，可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強(qiáng)度高，而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點(diǎn)蝕性能。