晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強(qiáng)氧化介質(zhì)中也會(huì)發(fā)生晶間腐蝕。這時(shí)，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)p雜質(zhì)達(dá)到100ppm或Si雜質(zhì)達(dá)到1000 ~ 2000ppm時(shí)，它們會(huì)在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強(qiáng)氧化劑介質(zhì)的作用下會(huì)溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會(huì)出現(xiàn)晶間腐蝕，因?yàn)樘己土仔纬闪肆滋蓟铮拗屏肆紫蚓Ы绲臄U(kuò)散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對(duì)晶間腐蝕的敏感性。

晶間腐蝕的特點(diǎn)是當(dāng)金屬表面沒有損傷時(shí)，晶粒間的結(jié)合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴(yán)重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會(huì)碎成粉末。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。

在日本,最大的不銹鋼,輸出的輸出18-8cr鎳不銹鋼含鈦在美國(guó)僅占1 ~ 2%的鉻鎳不銹鋼的輸出,而中國(guó)仍占90%以上的鉻鎳不銹鋼的輸出。這不僅反映了我國(guó)不銹鋼生產(chǎn)和使用的不合理，也反映了我國(guó)不銹鋼生產(chǎn)和使用中鋼結(jié)構(gòu)的落后狀況。

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