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根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。
P. Si、B等雜質元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學濃度差而引起的簡單電化學腐蝕過程，或者是偏析導致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進一步探討。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
鉻鎳奧氏體不銹鋼在使用前或從冶煉廠出廠時大多經過固溶處理。不銹鋼加熱至高溫(約1000 ~ 1150°C，視鋼材類型而定)，保溫后迅速冷卻(一般為水冷卻)。此時，Cr - Ni奧氏體不銹鋼中的碳含量大于0.02 ~ 0.03%(隨鋼中Ni含量的不同而變化)時，鋼中的碳處于過飽和狀態。隨后,在不銹鋼的加工和制造和使用的設備和組件,如果需要加熱的敏化溫度450 ~ 850°C(如焊接或使用在這個溫度范圍內),鋼中的過飽和碳將擴散到晶界,與附近的鉻沉淀并形成碳化鉻。
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